سامسونغ ترفع سقف المنافسة بإطلاق HBM4 بسرعات غير مسبوقة في سوق الذكاء الاصطناعي

بيانات.نت ,  كشفت شركة Samsung Electronics عن جيل جديد من رقائق الذاكرة عالية الأداء HBM4، مسجلة قفزة قوية في السرعات التي بلغت 11.7 جيجابت في الثانية، مع إمكانية الوصول إلى 13 جيجابت، متفوقة بذلك على المعدلات القياسية المعتمدة في السوق.

كما أعلنت الشركة عن النسخة المتطورة HBM4E، التي تصل سرعتها إلى 16 جيجابت في الثانية، ما يعكس تسارع الابتكار في تقنيات الذاكرة الموجهة لتطبيقات الذكاء الاصطناعي والحوسبة المتقدمة.

وجاء هذا الإعلان خلال مؤتمر GPU Technology Conference الذي تنظمه Nvidia، حيث أكدت سامسونغ على شراكتها المتنامية مع إنفيديا في تطوير حلول مخصصة لمنصة “Vera Rubin” القادمة.

وتسعى سامسونغ من خلال هذه الخطوة إلى تعزيز موقعها في سوق رقائق HBM4 التي تشهد نموًا متسارعًا مدفوعًا بالطلب الكبير على تقنيات الذكاء الاصطناعي. وكانت الشركة قد أعلنت سابقًا بدء الإنتاج الضخم لهذه الرقائق، مع خطط لتوزيع عينات من HBM4E خلال النصف الثاني من العام.

ورغم ريادتها العالمية في قطاع ذاكرة أشباه الموصلات، واجهت سامسونغ تحديات تنافسية في الأجيال السابقة، حيث تفوقت شركات مثل SK Hynix وMicron Technology في تزويد إنفيديا برقائق HBM3 وHBM3E.

وخلال المؤتمر، شددت سامسونغ على قدرتها في تقديم منظومة متكاملة للذكاء الاصطناعي، تشمل حلول الذاكرة والمعالجة والتصنيع والتغليف، ما يمنحها ميزة تنافسية في تقديم حلول شاملة لعملائها.

من جانبه، أشار الرئيس التنفيذي لشركة إنفيديا Jensen Huang إلى أن الشركة تتوقع تحقيق إيرادات ضخمة تصل إلى تريليون دولار من رقائق “Blackwell” و”Rubin” بحلول عام 2027، في ظل الطفرة العالمية في تقنيات الذكاء الاصطناعي.

الخلاصة:
تواصل سامسونغ تعزيز حضورها في سباق الذكاء الاصطناعي عبر تطوير رقائق أسرع وأكثر كفاءة، في وقت تشتد فيه المنافسة العالمية للسيطرة على مستقبل الحوسبة المتقدمة.